PECVD
Bei der PECVD-Beschichtung werden die abzuscheidenden Materialien in die Kammer eingebracht und gehen durch diesen Prozess vom gasförmigen in den festen Zustand über (zum Beispiel Siliziumdioxid, SiO₂).
Die zu behandelnden Bauteile werden in die Vakuumkammer eingebracht, die auf Drücke von einigen Pascal eingestellt wird.
Dokumente
Das Plasma wird eingesetzt, um die Temperaturen, bei denen sich das Material auf dem Bauteil abscheidet, deutlich zu senken. Dadurch können auch Substrate verwendet werden, die hohen Temperaturen sonst nicht standhalten würden.
Die wichtigsten Vorteile dieser Abscheidung sind:
- Homogene Schicht
- Sehr hohe Härte
- Keine Veränderung der Makrostruktur des Bauteils
Es gibt zwei Arten von Konfigurationen:
- RF-Quellen mit induktiver Kopplung
In diesem Fall kann die Abscheidung von der Anode oder von der Kathode gesteuert werden. - Dampfquellen mit kontrolliertem Durchflusssystem
mit maximalen Trägerabmessungen von 300 × 300 mm, der zusätzlich gekühlt werden kann.
Es ist möglich, maßgeschneiderte Anlagen für spezifischere Anwendungen zu entwickeln.
Verwandte Produkte
Sputtering
Das Sputtern ist ein Niedertemperatur-Hochenergie-PVD-Verfahren, bei dem ein Target mit Ionen beschossen und verdampft wird, um anschließend in Form einer atomdünnen Schicht auf einem Substrat abgeschieden zu werden.
Verdampfungssysteme
Die Verdampfung ist ein PVD-Verfahren mit geringer Energie und hoher Abscheidungsrate, bei dem das Material erhitzt wird.
Kathodischer Lichtbogen
Die Kathodenbogen-Plasmaabscheidung ist ein hochenergetisches PVD-Verfahren mit hoher Abscheidungsrate, das vor allem für Metalle mit geringer Wärmeleitfähigkeit eingesetzt wird.
RIE-System
RIE (Reactive Ion Etching) / IBE (Ion Beam Etching) ist ein ionengestütztes reaktives Verfahren, das auf einer Kombination aus chemischem und physikalischem Ätzen basiert und die isotropische sowie anisotrope Materialabtragung ermöglicht.
PVD-Systeme mit kombinierten Technologien
PVD-Technologien lassen sich zu einer vielseitigen Lösung kombinieren, bei der zwei oder mehr Prozesse auf einem Substrat erforderlich sind, wobei stets eine saubere Abscheidungsumgebung gewährleistet bleibt.
Cluster
Die beste Lösung zur Vermeidung von Kreuzkontaminationen bei einem Mehrprozess-Beschichtungsverfahren, bei dem die Beschichtung in mehreren Kammern gleichzeitig erfolgt.
PECVD
Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung ist eine Technologie mit mittlerer Energie und hoher Abscheidungsrate, bei der flüssige oder gasförmige Vorläuferstoffe verwendet werden, deren chemische Bestandteile aufgebrochen und anschließend wieder verbunden werden, um auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden zu werden.
PLD-Systeme
Bei der PLD wird ein Hochenergielaser eingesetzt, um ein Zielmaterial im Vakuum oder in einer kontrollierten Atmosphäre abzutragen (zu verdampfen). Das abgetragene Material wird anschließend auf ein Substrat abgeschieden, das dem Ziel gegenüberliegt...
Prüfkammer für Gassensoren
In einem Reinraum werden Luftfeuchtigkeit, Temperatur und die Gasatmosphäre erzeugt und geregelt, wodurch Gassensoren getestet und kalibriert werden können.
Komponenten für die Dünnschichtabscheidung
Heiz- und Kühlgeräte, Handhabungsgeräte und spezielle mechanische Vorrichtungen können auf Anfrage entwickelt werden.
HI.P.PO.
Die neue Generation von Sputterkathoden, die während der Abscheidung keine Wärme an die Substrate abgeben. Entwickelt und patentiert von Kenosistec.