Deposizione film sottili per coating PVD PECVD
La serie KSA è composta da sistemi PVD altamente versatili, progettati per grandi volumi di produzione e per applicazioni decorative.
La nuova generazione di catodi Sputtering che non cede calore ai substrati durante la deposizione. Sviluppato e brevettato da Kenosistec, HI.P.PO. permette di aumentare per ben 10 volte la produttività, grazie a un tasso di deposito più elevato, il risparmio energetico e di ridurre il consumo di materiale target. Disponibili dimensioni personalizzate a seconda delle specifiche esigenze.
Lo sputtering è un processo PVD a bassa temperatura-alta energia nel quale un target viene bombardato da ioni e vaporizzato, per poi essere depositato su un substrato sotto forma di un sottile strato atomico.
L'evaporazione è un processo PVD a bassa energia e alto tasso di deposizione nel quale il materiale viene riscaldato.
La deposizione al plasma ad arco catodico è un processo PVD ad alta energia con un tasso di deposizione elevato, principalmente per metalli con bassa conduttanza termica.
RIE (reactive ion etching) / IBE (ion beam etching) è un metodo ion-assisted reactive basato su una combinazione di attacco chimico e fisico che consente la rimozione del materiale isotropico e anisotropo.
Plasma enhaced chemical vapor deposition è una tecnologia a media energia ed elevato tasso di deposizione, che utilizza precursori allo stadio liquido o gassoso, dove le loro componenti chimiche vengono frantumate e poi ricombinate per essere depositate sulla superficie del substrato.
ALD - Atomic layer deposition è un metodo di deposizione sequenziale, (layer by layer) su una superficie di substrato attivato che permette di legare gli strati in modo continuo utilizzando precursori liquidi attivati dal plasma o dalla temperatura.
PLD - Pulsed laser deposition è una tecnica di deposizione progettata specificatamente per operare in un ambiente UHV (ovvero Ultra Alto Vuoto).
Le tecnologie PVD possono essere combinate in una soluzione polivalente dove sono richiesti due o più processi su un substrato, mantenendo sempre un ambiente di deposizione pulito.
La migliore soluzione per evitare la contaminazione incrociata in una deposizione multi-processo che prevede la deposizione in contemporanea in più camere.
In una camera pulita, l'umidità, la temperatura e l'atmosfera concentrata di gas viene prodotta e controllata, consentendo di testare e calibrare dispositivi sensori di gas.
Riscaldatori e raffreddatori, manipolatori e dispositivi meccanici speciali possono essere progettati su richiesta.