Sistema RIE
El sistema RIE (Reactive Ion Etching) es un método reactivo asistido por iones, basado en una combinación de ataque químico y físico que permite la eliminación de material de forma isotrópica y anisotrópica.
El R.I.E emplea principalmente procesos en los que un fuerte bombardeo de iones rompe los enlaces químicos: los radicales reaccionan químicamente con los átomos expuestos en la superficie, produciendo un producto volátil.
Documentos
Este sistema en particular está diseñado para el grabado en seco y de alta resolución.
Garantiza un procesamiento con un altísimo grado de uniformidad.
- Adecuado para trabajar con gases inertes y reactivos para el ataque de SiO₂, Al₂O₃, Au, Cr₂O₃, Al, MoSi₂, TaSi₂, gases.
- Permite pequeñas unidades productivas con una capacidad de 10-40 obleas por hora.
- Indicado para formas irregulares. Portamuestras conectado a la fuente de alimentación RF.
- Flujo de gas uniforme en la superficie con una buena contención del plasma gracias al cilindro de pyrex.
- El portamuestras puede diseñarse para grabar muestras de diferentes dimensiones (desde 2″ hasta 8″ de diámetro).
- Temperatura: puede calentarse hasta un máximo de 300 °C y enfriarse hasta un mínimo de -20 °C.
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Sistemas de pulverizacion
La evaporación es un proceso PVD caracterizado por su baja energía y alta velocidad de deposición. En este caso, el material sólido se calienta hasta alcanzar su punto de fusión o evaporación, pasando al estado gaseoso y condensándose sobre la superficie del sustrato.
Se utiliza ampliamente cuando se requieren recubrimientos metálicos decorativos o funcionales de gran homogeneidad.
HI.P.PO.
La nueva generación de cátodos de pulverización catódica que no ceden calor a los sustratos durante la deposición. Desarrollado y patentado por Kenosistec.