PECVD
Il PECVD, acronimo di Plasma-enhanced chemical vapour deposition, è un processo chimico di deposizione di film sottili potenziato dal plasma.
Nella deposizione PECVD, i materiali da depositare vengono inseriti in camera e, grazie a tale processo, passano dallo stato gassoso allo stato solido (ad es. la silice, SiO2). I pezzi da trattare vengono immessi all’interno della camera da vuoto che viene portata a pressioni di qualche pascal.
Documenti
Questo particolare processo è conosciuto anche come CDV a bassa temperatura. Il plasma, infatti, viene utilizzato per abbassare notevolmente le temperature a cui il materiale si deposita sul pezzo, consentendo di utilizzare substrati che altrimenti non avrebbero resistito alle alte temperature.
I principali vantaggi di questa deposizione sono
- film omogeneo
- durezza molto elevata
- non modifica la macrostruttura del pezzo
Esistono due tipi di configurazione:
- Sorgenti RF ad accoppiamento induttivo. In questo caso la deposizione può essere pilotata da anodo o da catodo.
- Sorgenti di vapore con sistema a flusso controllato con dimensioni massime del supporto 300×300 mm che può anche essere raffreddato.
È possibile progettare impianti su misura per applicazioni più specifiche.
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